IXTY08N100P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

800 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

42 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

2.38 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

IXTY08N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

34 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

37 ns

Зауыттық буманың саны:

70

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.012346 oz

Tags

IXTY08N10, IXTY08N1, IXTY08, IXTY0, IXTY, IXT