BSF083N03LQ G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

GaN

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

WDSON-2-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

13 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.3 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.7 mm

Ұзындығы:

6.35 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.05 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

2.8 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.2 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.3 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSF083N03LQGXT

Tags

BSF0, BSF