ZXMHC6A07N8TC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

4 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.8 A, 1.42 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

250 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

3.2 nC, 5.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.87 W

Конфигурация:

Төрт

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

ZXMHC6

Транзистор түрі:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.3 S, 1.8 S

Күз уақыты:

2 ns, 5.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1.4 ns, 2.3 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4.9 ns, 13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

1.8 ns, 1.6 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMHC6, ZXMHC, ZXMH, ZXM