FMM110-015X2F

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

ISOPLUS-i4-PAK-5

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

150 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

53 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

150 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

180 W

Конфигурация:

Қосарлы

Сауда атауы:

TrenchT2

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.34 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

FMM110-015X2F

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

75 S

Күз уақыты:

18 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Бірлік салмағы:

0.229281 oz

Tags

FMM11, FMM1, FMM