IRFH7914TR2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.7 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

StrongIRFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.83 mm

Ұзындығы:

6 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

77 S

Күз уақыты:

4.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001566734

Бірлік салмағы:

0.070548 oz

Tags

IRFH791, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF