2SB1132T100R

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

- 32 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

- 40 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

- 5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

- 0.2 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

- 2 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

150 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

2SB1132

Тұрақты ток күші hFE макс:

390

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.5 mm

Қаптама:

Ролик

Ені:

2.5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Үздіксіз коллекторлық ток:

- 1 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

82

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.004603 oz

Tags

2SB1132T100R, 2SB1132T100, 2SB1132T10, 2SB1132T1, 2SB1132T, 2SB1132, 2SB113, 2SB11, 2SB1, 2SB