Jantx2N3498

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-39-3

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

100 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

100 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

6 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.6 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

120

Қаптама:

Жаппай

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

500 mA

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

15

Pd - қуаттың шығыны:

5 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jantx2N3498, Jantx2N349, Jantx2N34, Jantx2N3, Jantx2, JANTX, JANT, JAN