STS4DNF60L

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

55 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

STripFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.65 mm

Ұзындығы:

5 mm

Серия:

STS4DNF60L

Транзистор түрі:

2 N-Channel Power MOSFET

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

4 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

25 S

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

28 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.002998 oz

Tags

STS4DNF60L, STS4DNF60, STS4DNF6, STS4DN, STS4D, STS4, STS