QPD1009

QPD1009
Mfr. #:
QPD1009
Өндіруші:
Qorvo
Сипаттама:
RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
QPD1009 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
QPD1009 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Қорво
Өнім санаты:
RF JFET транзисторлары
RoHS:
Y
Транзистор түрі:
HEMT
Технология:
GaN SiC
Табыс:
24 dB
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
50 V
Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:
145 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
700 mA
Шығу қуаты:
17 W
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 40 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 85 C
Pd - қуаттың шығыны:
17.5 W
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
QFN-16
Қаптама:
Науа
Конфигурация:
Бойдақ
Жұмыс жиілігі:
4 GHz
Жұмыс температурасының диапазоны:
- 40 C to + 85 C
Серия:
QPD
Бренд:
Қорво
Әзірлеу жинағы:
QPD1009-EVB1
Ылғалға сезімтал:
Иә
Өнім түрі:
RF JFET транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
50
Ішкі санат:
Транзисторлар
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
- 2.8 V
Бөлім # Бүркеншік аттар:
1132865
Tags
QPD100, QPD10, QPD1, QPD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC- 4.0 GHz, 15 W, 50 V, 3 x 3 mm, GaN
QPD1009 & QPD1010 GaN RF Transistors
Qorvo QPD1009 & QPD1010 GaN RF Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs which operate from DC to 4GHz and constructed with Qorvo's proven QGaN25HV process. This process features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization potentially lowers system cost in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G
Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. These products provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
QPD1009
DISTI # 772-QPD1009
QorvoRF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
RoHS: Compliant
171
  • 1:$31.0000
  • 25:$26.8100
  • 100:$23.1900
  • 250:$21.5700
QPD1009-EVB1
DISTI # 772-QPD1009-EVB1
QorvoRF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
RoHS: Compliant
3
  • 1:$875.0000
Сурет Бөлім № Сипаттама
MR4A08BUYS45

Mfr.#: MR4A08BUYS45

OMO.#: OMO-MR4A08BUYS45

NVRAM 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM
FERD20H100SB-TR

Mfr.#: FERD20H100SB-TR

OMO.#: OMO-FERD20H100SB-TR

Rectifiers RECTIFIER
CGHV40200PP

Mfr.#: CGHV40200PP

OMO.#: OMO-CGHV40200PP

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
LMR23630AFDDAR

Mfr.#: LMR23630AFDDAR

OMO.#: OMO-LMR23630AFDDAR

Switching Voltage Regulators 36V, 3A, 400kHz Synchronous Regulator
MHQ0402PSA15NHT000

Mfr.#: MHQ0402PSA15NHT000

OMO.#: OMO-MHQ0402PSA15NHT000

Fixed Inductors 01005, 15nH +-3% S-HQ SMD RF IND
QPD1009-EVB1

Mfr.#: QPD1009-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1009-EVB1-1152

RF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
FERD20H100SB-TR

Mfr.#: FERD20H100SB-TR

OMO.#: OMO-FERD20H100SB-TR-STMICROELECTRONICS

DIODE RECT 100V 20A DPAK
08055C222K4Z4A

Mfr.#: 08055C222K4Z4A

OMO.#: OMO-08055C222K4Z4A-1190

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V 2200pF X7R 0805 10% AEC-Q200 Flexi
CGHV40200PP

Mfr.#: CGHV40200PP

OMO.#: OMO-CGHV40200PP-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 440199
MHQ0402PSA15NHT000

Mfr.#: MHQ0402PSA15NHT000

OMO.#: OMO-MHQ0402PSA15NHT000-TDK

FIXED IND 15NH 120MA 2.1 OHM SMD
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
4000
Саны енгізіңіз:
QPD1009 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
31,00 $
31,00 $
25
26,81 $
670,25 $
100
23,19 $
2 319,00 $
250
21,57 $
5 392,50 $
500
20,06 $
10 030,00 $
-ден бастаңыз
Top