VP0106N3-G P002

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

250 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

15 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Микрочип технологиясы

Күз уақыты:

4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4 ns

Бірлік салмағы:

0.016000 oz

Tags

VP0106N3, VP0106N, VP0106, VP010, VP01, VP0