Jan2N930/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-72-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

15 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

30 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

3 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.4 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

50 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

200 at 3 mA, 1 V

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

100 at 10 uA, 5 V

Pd - қуаттың шығыны:

200 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jan2N9, Jan2N, Jan2, JAN