DMG1029SVQ-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-563-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

500 mA, - 360 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.7 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V, - 3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

0.3 nC, 0.28 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

80 mS, 50 mS

Күз уақыты:

9.9 ns, 11.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.4 ns, 7.9 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15.7 ns, 10.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.9 ns, 5.5 ns

Бірлік салмағы:

0.000952 oz

Tags

DMG1029, DMG102, DMG1, DMG