CSD87333Q3DT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSON-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

950 mV

Qg - қақпа заряды:

3.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

6 W

Конфигурация:

Қосарлы

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

CSD87333Q3D

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

43 S

Күз уақыты:

2.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.9 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.1 ns

Бірлік салмағы:

0.002677 oz

Tags

CSD87333, CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD