APT25GP120BDQ1G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

TO-247-3

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

1.2 kV

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

3.3 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

30 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

69 A

Pd - қуаттың шығыны:

417 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

69 A

Биіктігі:

5.31 mm

Ұзындығы:

21.46 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 150 C

Ені:

16.26 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

69 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

IGBT

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

APT25GP120BD, APT25GP1, APT25GP, APT25G, APT25, APT2, APT