TSM4N60ECH C5G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

12 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

-

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

86.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

21 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

3750

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

47 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

TSM4N6, TSM4N, TSM4, TSM