NP109N04PUG-E1-AY

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Renesas Electronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

110 A

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Renesas Electronics

Күз уақыты:

35 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

47 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

NP109N04PUG-E, NP109N04PUG, NP109N04, NP109, NP10, NP1