D3S190N65E-T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

D3 Semiconductor

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

190 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

28 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

D3

Күз уақыты:

21 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

57 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Tags

D3S19, D3S1, D3S