OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SCT3017ALHRC11

SCT3017ALHRC11
Mfr. #:
SCT3017ALHRC11
Өндіруші:
Rohm Semiconductor
Сипаттама:
MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SCT3017ALHRC11 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SCT3017ALHRC11 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
ROHM жартылай өткізгіш
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
SiC
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-247N-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
650 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
118 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
17 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
2.7 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 4 V, 22 V
Qg - қақпа заряды:
172 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 175 C
Pd - қуаттың шығыны:
427 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Түтік
Серия:
SCT3x
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
ROHM жартылай өткізгіш
Форвард өткізгіштік - Мин:
16 S
Күз уақыты:
31 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
44 ns
Зауыттық буманың саны:
30
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
64 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
30 ns
Tags
SCT30, SCT3, SCT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Silicon Carbide (SiC) Power Devices
ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. SiC also allows designers to use fewer components, further reducing design complexity.
SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs
ROHM Semiconductor® SCT3x Series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving efficiency operation while reducing power loss in a variety of equipment. The lineup includes 650V and 1200V variants for broad applicability.
N-Channel SiC Power MOSFETs
ROHM Semiconductor N-Channel SiC (Silicon Carbide) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. In addition, low ON resistance minimizes power dissipation and provides greater energy savings.
AEC-Q101 SiC Power MOSFETs
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can be used to boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SCT3017ALHRC11
DISTI # SCT3017ALHRC11-ND		ROHM SemiconductorAUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		On Order
  • 25:$96.1000
  • 10:$98.7880
  • 1:$104.1600
SCT3017ALHRC11
DISTI # 02AH4678		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 650V, 118A, 175DEG C, 427W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:118A,Drain Source Voltage Vds:650V,On Resistance Rds(on):0.017ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:18V,Threshold Voltage Vgs:5.6V,PowerRoHS Compliant: Yes0
  • 100:$83.5200
  • 50:$88.8600
  • 25:$90.1800
  • 10:$91.5300
  • 5:$94.2400
  • 1:$96.8400
SCT3017ALHRC11
DISTI # 755-SCT3017ALHRC11		ROHM SemiconductorMOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
RoHS: Compliant		0
  • 1:$107.5200
  • 5:$105.5400
  • 10:$100.8000
  • 25:$96.1000
SCT3017ALHRC11
DISTI # TMOS2736		ROHM SemiconductorSiC N-CH 650V 118A 17mOhm
RoHS: Compliant		Stock DE - 0Stock HK - 0Stock US - 0
  • 450:$96.9300
SCT3017ALHRC11
DISTI # 3052180		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 650V, 118A, 175DEG C, 427W0
  • 10:£73.3200
  • 5:£77.6800
  • 1:£82.0300
SCT3017ALHRC11
DISTI # 3052180		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 650V, 118A, 175DEG C, 427W
RoHS: Compliant		0
  • 1:$146.5300
SCT3017ALHRC11ROHM SemiconductorMOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
RoHS: Compliant		Americas -
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SCT3017ALHRC11

    Mfr.#: SCT3017ALHRC11

    OMO.#: OMO-SCT3017ALHRC11

    		 MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
    SCT3017ALGC11

    Mfr.#: SCT3017ALGC11

    OMO.#: OMO-SCT3017ALGC11-1190

    		 MOSFET, N-CH, 650V, 118A, 175DEG C, 427W, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:118A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.017ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:
    SCT3017ALHRC11

    Mfr.#: SCT3017ALHRC11

    OMO.#: OMO-SCT3017ALHRC11-ROHM-SEMI

    		 AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    4000
    Саны енгізіңіз:
    SCT3017ALHRC11 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    107,52 $
    107,52 $
    5
    105,54 $
    527,70 $
    10
    100,80 $
    1 008,00 $
    25
    96,10 $
    2 402,50 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top