STS10P3LLH6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

33 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

STripFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

STS10P3LLH6

Транзистор түрі:

1 P-Channel Power MOSFET

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

112 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

61 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.8 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

STS10P, STS10, STS1, STS