OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7114ADN-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI7114ADN-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI7114ADN-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI7114ADN-GE3
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR 1212-8
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR 1212-8
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
39W
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
30V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
1230pF @ 15V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
35A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
7.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
32nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
3.7 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
10 ns
Көтерілу уақыты
14 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
35 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
8.1 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
20 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
20 ns
Форвард-өткізгіштік-мин
50 S
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI7114A, SI7114, SI711, SI71, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SI7114ADN-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 18 A; 30 V; 8-Pin PowerPAK 1212
*** Source Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
***ark
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:18.3A; On Resistance Rds(On):0.01Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes
TrenchFET® Gen III Power MOSFET
The Vishay Siliconix TrenchFET® Gen III Power MOSFET family offers the industry's lowest on-resistance and on-resistance times gate charge for a device with this voltage rating in the PowerPAK® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The Vishay Siliconix TrenchFET Gen III Power MOSFET improves greatly on the performance of the closest competing devices. The lower on-resistance and gate charge of the TrenchFET® Gen III Power MOSFET translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology, which won the EN-Genius award for Best Improvement in Power Devices. Vishay Siliconix TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # SI7114ADN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.3828
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # SI7114ADN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.4351
  • 500:$0.5438
  • 100:$0.7342
  • 10:$0.9520
  • 1:$1.0900
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # SI7114ADN-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.4351
  • 500:$0.5438
  • 100:$0.7342
  • 10:$0.9520
  • 1:$1.0900
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # SI7114ADN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7114ADN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
  • 3000:$0.3800
  • 6000:$0.2923
  • 9000:$0.2326
  • 15000:$0.1966
  • 30000:$0.1809
  • 75000:$0.1754
  • 150000:$0.1701
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # SI7114ADN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7114ADN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.3489
  • 6000:$0.3379
  • 12000:$0.3249
  • 18000:$0.3159
  • 30000:$0.3069
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # SI7114ADN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7114ADN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 3000:€0.6909
  • 6000:€0.4719
  • 12000:€0.4059
  • 18000:€0.3749
  • 30000:€0.3489
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # 16P3822		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 11.7A, POWERPAK, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:18.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):10mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.4000
  • 3000:$0.4000
SI7114ADN-T1-GE3.
DISTI # 16AC0261		Vishay IntertechnologiesTransistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:18.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):10mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3V,Power Dissipation Pd:3.7W,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.4000
  • 3000:$0.4000
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # 70459557		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.4630
  • 6000:$0.4470
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7114ADN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.9600
  • 10:$0.7660
  • 100:$0.5810
  • 500:$0.4800
  • 1000:$0.4010
  • 3000:$0.4000
SI7114ADN-T1-GE3
DISTI # 2478964		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 11.7A, POWERPAK, FULL REEL
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.6060
SI7114ADN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Americas -
    SI7114ADN-T1-GE3
    DISTI # 2478964    		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 11.7A, POWERPAK,
    RoHS: Compliant    		0
    • 3000:£0.3520
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI7114ADN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7114ADN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7114ADN-T1-GE3

    		 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7114ADN

    Mfr.#: SI7114ADN

    OMO.#: OMO-SI7114ADN-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SI7114ADN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7114ADN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7114ADN-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    2500
    Саны енгізіңіз:
    SI7114ADN-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,60 $
    0,60 $
    10
    0,57 $
    5,70 $
    100
    0,54 $
    54,00 $
    500
    0,51 $
    255,00 $
    1000
    0,48 $
    480,00 $
    -ден бастаңыз
    Top