ALD1105PBL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.9 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

81 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.7 mm

Ұзындығы:

9.25 mm

Серия:

CSD18535KTT

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

10.26

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

263 S

Күз уақыты:

3 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Tags

ALD110, ALD11, ALD1, ALD