SQ9945BEY-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

12 nC, 12 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

4 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S, 12 S

Күз уақыты:

1.7 ns, 1.7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.8 ns, 2.8 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns, 17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns, 6 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SQ9945BEY-T1_G, SQ9945BEY-T, SQ9945BEY, SQ9945BE, SQ9945B, SQ994, SQ99, SQ9