BSC882N03LS G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

34 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.2 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

2 V

Qg - қақпа заряды:

27 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

69 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Серия:

BSC882N03

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

100 S

Күз уақыты:

9.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC882N03LSGATMA1 BSC882N3LSGXT SP000686916

Бірлік салмағы:

0.002677 oz

Tags

BSC882N03LSG, BSC882N03L, BSC882, BSC8, BSC