BSC021N08NS5ATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

117 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

214 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

Optimos 5

Қаптама:

Ролик

Серия:

BSC021N

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

70 S

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

44 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001793410

Tags

BSC02, BSC0, BSC