STB22N60DM6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

D2PAK-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

240 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.25 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

20.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

130 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

35.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.4 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11.5 ns

Tags

STB22N, STB22, STB2, STB