OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3
Mfr. #:
SIHB10N40D-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIHB10N40D-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHB10N40D-GE3 DatasheetSIHB10N40D-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHB10N40D-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIHB10N40D-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TO-263-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
450 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
10 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
600 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
30 V
Qg - қақпа заряды:
15 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
147 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Ролик
Биіктігі:
4.83 mm
Ұзындығы:
10.67 mm
Серия:
D
Ені:
9.65 mm
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Күз уақыты:
14 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
18 ns
Зауыттық буманың саны:
1000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
18 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
12 ns
Бірлік салмағы:
0.050717 oz
Tags
SIHB10, SIHB1, SIHB, SIH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin D2PAK
***
400V N-CH TO220 FULLPAK
***ark
N-CHANNEL 400V
D-Series High Voltage Power MOSFETs
Vishay Siliconix's D-Series High Voltage Power MOSFETs are Vishay's next-generation high voltage N-Channel MOSFETs available in 400V, 500V and 600V ratings. These new devices combines low specific on-resistance with ultra-low gate charge, currents from 3.0A to 36A and are available in a wide range of packages. Features include Vishay's new high-voltage stripe technology, on-resistance down to 0.13Ω, gate charge down to 6nC, best-in-class gate charge times on-resistant figures of merit (FOM) down to 7.65 Ω-nC, and avalanche rated for reliable operation. Typical applications include high-power, high-performance switch mode applications, including server and telecom power systems, welding, plasma cutting, battery chargers, ballast light, high-intensity discharge (HID) lighting, semiconductor capital equipment, and induction heating.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIHB10N40D-GE3
DISTI # SIHB10N40D-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 10A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1000In Stock
  • 5000:$0.7535
  • 3000:$0.7825
  • 1000:$0.8404
  • 100:$1.2345
  • 25:$1.4492
  • 10:$1.5360
  • 1:$1.7100
SIHB10N40D-GE3
DISTI # SIHB10N40D-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB10N40D-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$0.7069
  • 6000:$0.7269
  • 4000:$0.7469
  • 2000:$0.7789
  • 1000:$0.8029
SIHB10N40D-GE3
DISTI # SIHB10N40D-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB10N40D-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$0.7069
  • 6000:$0.7269
  • 4000:$0.7469
  • 2000:$0.7789
  • 1000:$0.8029
SIHB10N40D-GE3
DISTI # 78-SIHB10N40D-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.7200
  • 10:$1.4300
  • 100:$1.1100
  • 500:$0.9670
  • 1000:$0.8010
  • 2000:$0.7460
  • 5000:$0.7180
  • 10000:$0.6900
SIHB10N40D-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
RoHS: Compliant		Americas -
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SCT10N120

    Mfr.#: SCT10N120

    OMO.#: OMO-SCT10N120

    		 MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
    FCD850N80Z

    Mfr.#: FCD850N80Z

    OMO.#: OMO-FCD850N80Z

    		 MOSFET SF2 800V 850MOHM E DPAK
    FDP8N50NZ

    Mfr.#: FDP8N50NZ

    OMO.#: OMO-FDP8N50NZ

    		 MOSFET UNIFET2 500V
    FCD850N80Z

    Mfr.#: FCD850N80Z

    OMO.#: OMO-FCD850N80Z-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
    B82801B205A100

    Mfr.#: B82801B205A100

    OMO.#: OMO-B82801B205A100-1181

    		 Current Transformer Sensors Current Transformers 2000uH N1:N2=1:100 T2888 EE5 SMD
    SCT10N120

    Mfr.#: SCT10N120

    OMO.#: OMO-SCT10N120-STMICROELECTRONICS

    		 MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
    FDP8N50NZ

    Mfr.#: FDP8N50NZ

    OMO.#: OMO-FDP8N50NZ-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
    NCS2200SQ2T2G

    Mfr.#: NCS2200SQ2T2G

    OMO.#: OMO-NCS2200SQ2T2G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 Analog Comparators 0.85-6V Single CMOS Comparato
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    1500
    Саны енгізіңіз:
    SIHB10N40D-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    1,72 $
    1,72 $
    10
    1,43 $
    14,30 $
    100
    1,11 $
    111,00 $
    500
    0,97 $
    483,50 $
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top