IPB35N10S3L-26

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

35 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

71 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

OptiMOS-T

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N1S3L26XT SP000776044

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPB35N10, IPB35N, IPB35, IPB3, IPB