RF4E070BNTR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN2020-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

28.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Серия:

RF4E070BN

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RF4E070BN

Tags

RF4E070B, RF4E070, RF4E07, RF4E0, RF4E, RF4