SI4346DY-T1-GE3

SI4346DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4346DY-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI4346DY-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4346DY-T1-GE3 DatasheetSI4346DY-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI4346DY-T1-GE3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
E
Технология:
Си
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SI4
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Өнім түрі:
MOSFET
Зауыттық буманың саны:
2500
Ішкі санат:
MOSFETs
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SI4346DY-GE3
Бірлік салмағы:
0.006596 oz
Tags
SI4346D, SI4346, SI434, SI43, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-Pin SOIC N T/R
***ment14 APAC
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:1.31W
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI4346DY-T1-GE3
DISTI # SI4346DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 2500:$0.4158
SI4346DY-T1-GE3
DISTI # 15R4985
Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:5.9A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):19mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs Typ:2V,Power Dissipation Pd:1.31W , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.3700
  • 2500:$0.3680
  • 5000:$0.3570
  • 10000:$0.3430
SI4346DY-T1-GE3
DISTI # 84R8044
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:5.9A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):19mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V,Power Dissipation Pd:1.31W , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.0200
  • 10:$0.9610
  • 25:$0.8710
  • 50:$0.7850
  • 100:$0.7120
  • 250:$0.5970
  • 500:$0.5280
SI4346DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4346DY-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.5W 23mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    SI4346DY-T1-GE3
    DISTI # 1867186
    Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET
    RoHS: Compliant
    0
    • 2500:£0.4670
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI4346DY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4346DY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4346DY-T1-GE3

    MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
    SI4346DY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4346DY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4346DY-T1-GE3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.5W 23mohm @ 10V
    SI4346DY-T1

    Mfr.#: SI4346DY-T1

    OMO.#: OMO-SI4346DY-T1-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI4346DY-T1-E3

    Mfr.#: SI4346DY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4346DY-T1-E3-VISHAY

    MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    4000
    Саны енгізіңіз:
    SI4346DY-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    Top