IXFA10N60P-TRL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

740 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

32 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

200 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

IXFA10N60P

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

6 S

Күз уақыты:

21 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXFA10N, IXFA10, IXFA1, IXFA, IXF