IPB50N10S3L-16

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

15.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

64 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

100 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

OptiMOS-T

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPB50N10S3L16ATMA1 IPB5N1S3L16XT SP000386183

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPB50N10, IPB50N1, IPB50N, IPB50, IPB5, IPB