BSO303P H

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

21 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 36 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

OptiMOS P

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

27 S

Күз уақыты:

39 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSO303PHXUMA1 BSO33PHXT SP000613854

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

BSO303PH, BSO303P, BSO303, BSO30, BSO3, BSO