SPP11N80C3XK

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

390 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

85 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

156 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.65 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3XKSA1

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

SPP11N80C3, SPP11N80, SPP11N8, SPP11N, SPP11, SPP1, SPP