SQJA68EP-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8L-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

14 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

76.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

4.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

45 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Tags

SQJA6, SQJA, SQJ