SIHB8N50D-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

850 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

156 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Жаппай

Серия:

D

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

11 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бірлік салмағы:

0.050717 oz

Tags

SIHB, SIH