TT8J3TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSST-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

65 mOhms, 65 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

4.8 nC, 4.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.8 S, 1.8 S

Күз уақыты:

14 ns, 14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns, 20 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns, 35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

TT8J3

Tags

TT8J, TT8