STB34N50DM2AG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

26 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

44 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

190 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.6 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Өнім:

MOSFET қуаты

Серия:

STB34N50DM2AG

Түрі:

Жоғары кернеу

Ені:

9.35 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

8.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11.5 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

65.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19.5 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STB34, STB3, STB