OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

FQI4N80TU

FQI4N80TU
Mfr. #:
FQI4N80TU
Өндіруші:
ON Semiconductor / Fairchild
Сипаттама:
MOSFET 800V N-Channel QFET
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
FQI4N80TU Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
ON Жартылай өткізгіш
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
E
Технология:
Си
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-262-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
800 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
3.9 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
2.8 Ohms
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
30 V
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
3.13 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Түтік
Биіктігі:
7.88 mm
Ұзындығы:
10.29 mm
Серия:
FQI4N80
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Түрі:
MOSFET
Ені:
4.83 mm
Бренд:
ON Semiconductor / Fairchild
Форвард өткізгіштік - Мин:
3.8 S
Күз уақыты:
35 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
45 ns
Зауыттық буманың саны:
1000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
35 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
16 ns
Бірлік салмағы:
0.073511 oz
Tags
FQI4N8, FQI4N, FQI4, FQI
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***emi
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, I2PAK
***nell
MOSFET, N, TO-262; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:800V; Current, Id cont:3.9A; Resistance, Rds on:3.6ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:TO-262; Current, Idm pulse:15.6A; Pins, No. of:3; Power dissipation:3.13W; Termination Type:Through Hole; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:800V; Voltage, Vgs th max:5V
***rchild Semiconductor
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
FQI4N80TU
DISTI # 31271928		ON SemiconductorC00V N-CHANNEL QFET1000
  • 10000:$0.8198
  • 5000:$0.8534
  • 2500:$0.8861
  • 1000:$0.9514
FQI4N80TU
DISTI # 26637390		ON SemiconductorC00V N-CHANNEL QFET1000
  • 1000:$1.0050
FQI4N80TU
DISTI # FQI4N80TU-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.0895
FQI4N80TU
DISTI # C1S541901511465		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
RoHS: Compliant		1000
  • 1000:$1.0200
FQI4N80TU
DISTI # FQI4N80TU		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail - Rail/Tube (Alt: FQI4N80TU)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Americas - 0
  • 1000:$0.7759
  • 2000:$0.7709
  • 4000:$0.7609
  • 6000:$0.7509
  • 10000:$0.7329
FQI4N80TU
DISTI # FQI4N80TU		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail (Alt: FQI4N80TU)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
  • 1:€1.0529
  • 10:€0.9569
  • 25:€0.8779
  • 50:€0.8419
  • 100:€0.8099
  • 500:€0.7799
  • 1000:€0.7519
FQI4N80TU
DISTI # 82C4155		ON SemiconductorTRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,3.9A I(D),TO-262AA ROHS COMPLIANT: YES0
  • 1:$2.3900
  • 10:$1.8500
  • 100:$1.4400
  • 1000:$0.9570
  • 2000:$0.9500
  • 10000:$0.8950
  • 24000:$0.8680
  • 50000:$0.8470
FQI4N80TU
DISTI # 512-FQI4N80TU		ON SemiconductorMOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS: Compliant		797
  • 1:$2.0100
  • 10:$1.7100
  • 100:$1.3700
  • 500:$1.2000
  • 1000:$0.9910
  • 2500:$0.9230
  • 5000:$0.8890
FQI4N80TUFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
RoHS: Compliant		1550
  • 1000:$1.3000
  • 500:$1.3700
  • 100:$1.4300
  • 25:$1.4900
  • 1:$1.6000
Сурет Бөлім № Сипаттама
FQI4N90TU

Mfr.#: FQI4N90TU

OMO.#: OMO-FQI4N90TU

 MOSFET 900V N-Channel QFET
FQI4N80TU

Mfr.#: FQI4N80TU

OMO.#: OMO-FQI4N80TU

 MOSFET 800V N-Channel QFET
FQI46N15

Mfr.#: FQI46N15

OMO.#: OMO-FQI46N15-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FQI47P06

Mfr.#: FQI47P06

OMO.#: OMO-FQI47P06-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FQI4N20TM

Mfr.#: FQI4N20TM

OMO.#: OMO-FQI4N20TM-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FQI4N20TU

Mfr.#: FQI4N20TU

OMO.#: OMO-FQI4N20TU-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
FQI4N80C

Mfr.#: FQI4N80C

OMO.#: OMO-FQI4N80C-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FQI4N80TUFSC

Mfr.#: FQI4N80TUFSC

OMO.#: OMO-FQI4N80TUFSC-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FQI4P40

Mfr.#: FQI4P40

OMO.#: OMO-FQI4P40-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FQI4P40TUFSC

Mfr.#: FQI4P40TUFSC

OMO.#: OMO-FQI4P40TUFSC-1190

 Жаңа және түпнұсқа
Қол жетімділік
Қор:
212
Тапсырыс бойынша:
2195
Саны енгізіңіз:
FQI4N80TU ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
1,69 $
1,69 $
10
1,44 $
14,40 $
100
1,15 $
115,00 $
500
1,01 $
505,00 $
1000
0,84 $
837,00 $
2000
0,78 $
1 560,00 $
5000
0,75 $
3 755,00 $
10000
0,72 $
7 220,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top