IRF3707ZCSPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

59 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12.5 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

9.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

57 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

3.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

41 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.8 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRF3707ZCS, IRF3707ZC, IRF3707Z, IRF3707, IRF370, IRF37, IRF3, IRF