IXTR32P60P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

18 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

385 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

196 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

310 W

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

PolarP

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.34 mm

Ұзындығы:

16.13 mm

Серия:

IXTR32P60

Түрі:

PolarP Power MOSFET

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

21 S

Күз уақыты:

33 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

95 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Бірлік салмағы:

0.186952 oz

Tags

IXTR3, IXTR, IXT