BSZ088N03LS G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.8 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

2.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.8 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.3 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSZ088N03LSGATMA1 BSZ88N3LSGXT SP000304138

Бірлік салмағы:

0.070548 oz

Tags

BSZ088N03LSG, BSZ088N03L, BSZ088, BSZ08, BSZ0, BSZ