SQD19P06-60L_T4GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

56 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

27 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

46 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

SQD19P06-6, SQD19, SQD1, SQD