CSD85301Q2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

WSON-FET-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

27 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

5.4 nC, 5.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.3 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

CSD85301Q2

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

2 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

20 S, 20 S

Күз уақыты:

15 ns, 15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

26 ns, 26 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns, 14 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns, 6 ns

Бірлік салмағы:

0.000342 oz

Tags

CSD8530, CSD85, CSD8, CSD