PMGD280UN,115

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSSOP-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

870 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

340 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

0.89 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.4 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.2 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.35 mm

Бренд:

Nexperia

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

PMGD280UN T/R

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

PMGD280UN,1, PMGD28, PMGD2, PMGD, PMG