IXTK170P10P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

170 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

240 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

890 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

IXTK170P10

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

35 S

Күз уақыты:

45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

75 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

82 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Бірлік салмағы:

0.352740 oz

Tags

IXTK170, IXTK17, IXTK1, IXTK, IXT