APT6M100K

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.05 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

43 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

225 W

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

POWER MOS 8

Биіктігі:

9.19 mm

Ұзындығы:

10.26 mm

Ені:

4.72 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.6 S

Күз уақыты:

5.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.8 ns

Зауыттық буманың саны:

171

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.4 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

APT6, APT