OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SIA921EDJ-T4-GE3

SIA921EDJ-T4-GE3
Mfr. #:
SIA921EDJ-T4-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIA921EDJ-T4-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA921EDJ-T4-GE3 DatasheetSIA921EDJ-T4-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA921EDJ-T4-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIA921EDJ-T4-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
PowerPAK-SC70-6
Арналар саны:
2 Channel
Транзистордың полярлығы:
P-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
20 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
4.5 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
59 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
500 mV
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
12 V
Qg - қақпа заряды:
23 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
7.8 W
Конфигурация:
Қосарлы
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SIA
Транзистор түрі:
2 P-Channel
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Форвард өткізгіштік - Мин:
11 S
Күз уақыты:
10 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
20 ns
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
25 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
20 ns
Tags
SIA921EDJ-T, SIA921, SIA92, SIA9, SIA
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
***et
DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # V36:1790_09216859		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant		0
  • 3000000:$0.2209
  • 1500000:$0.2210
  • 300000:$0.2303
  • 30000:$0.2444
  • 3000:$0.2467
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # SIA921EDJ-T4-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.2467
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # SIA921EDJ-T4-GE3		Vishay IntertechnologiesDUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SIA921EDJ-T4-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 30000:$0.1699
  • 18000:$0.1749
  • 12000:$0.1799
  • 6000:$0.1879
  • 3000:$0.1939
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # 78-SIA921EDJ-T4-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.6500
  • 10:$0.5170
  • 100:$0.3930
  • 500:$0.3240
  • 1000:$0.2600
  • 3000:$0.2350
  • 6000:$0.2190
  • 9000:$0.2110
  • 24000:$0.2030
Сурет Бөлім № Сипаттама
SIA921EDJ-T1-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T1-GE3

 MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA921EDJ-T4-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T4-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T4-GE3

 MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA921EDJ-T1-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T1-GE3-VISHAY

 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA921EDJ-T1/GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T1/GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T1-GE3-1190

 Жаңа және түпнұсқа
SIA921EDJ-T4-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T4-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T4-GE3-VISHAY

 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA921EDJT1GE3

Mfr.#: SIA921EDJT1GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJT1GE3-1190

 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.059ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1000
Саны енгізіңіз:
SIA921EDJ-T4-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
0,65 $
0,65 $
10
0,52 $
5,17 $
100
0,39 $
39,30 $
500
0,32 $
162,00 $
1000
0,26 $
260,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top