SQD50P08-28_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

48 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

23 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

145 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

136 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.38 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

16 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

65 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

SQD50P08-28, SQD50P08-2, SQD50P08, SQD50P, SQD50, SQD5, SQD