PMXB360ENEAZ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-1010D-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

345 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

400 mW

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Nexperia

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.2 S

Күз уақыты:

3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.5 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2 ns

Бірлік салмағы:

0.000042 oz

Tags

PMXB36, PMXB3, PMXB, PMX