IXTY02N50D

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

30 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

-

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

-

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

2.38 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

IXTY02N50

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

-

Ені:

6.22 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Әзірлеу жинағы:

-

Күз уақыты:

4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns

Зауыттық буманың саны:

70

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTY02N50D, IXTY02N5, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT